Керамічна підкладка з нітриду кремнію для електроніки

Керамічна підкладка з нітриду кремнію для електроніки

Керамічна підкладка з нітриду кремнію для електроніки — це спеціальний тип керамічного матеріалу, який використовується в різних промислових застосуваннях, де потрібна висока міцність, довговічність і термічна стабільність. Він складається з комбінації кремнію, азоту та інших елементів, які надають йому унікальних механічних, термічних і хімічних властивостей.

Керамічна підкладка Si3N4 має виняткову механічну міцність, що робить її високостійкою до зношування та пошкоджень від ударів і стиснення. Він також має високу стійкість до термічних ударів, здатний протистояти різким змінам температури без тріщин або руйнування. Це робить його ідеальним для використання у високотемпературних галузях промисловості, таких як аерокосмічна промисловість, автомобілебудування та інших областях, де необхідне розсіювання тепла.

Окрім механічних і термічних властивостей, керамічна підкладка Si3N4 також забезпечує чудову електроізоляцію та хорошу стійкість до корозії в суворих умовах. Він використовується в електроніці та напівпровідникових додатках, таких як силові модулі та високотемпературна електроніка, завдяки своїм чудовим тепловідведенням та ізоляційним властивостям.

Загалом, керамічна підкладка з нітриду кремнію Si3N4 є винятковим матеріалом із широким спектром застосувань. Його виняткова механічна міцність, термічна стабільність, електрична ізоляція та хімічна стійкість роблять його ідеальним для різноманітних промислових та електронних застосувань, де надійність та ефективність є критичними факторами.

Керамічна підкладка з нітриду кремнію Torbo® для електроніки

Товар: підкладка з нітриду кремнію

Матеріал: Si3N4

Колір: сірий

Товщина: 0,25-1 мм

Обробка поверхні: подвійне полірування

Насипна щільність: 3,24 г/м²

Шорсткість поверхні Ra: 0,4 мкм

Міцність на вигин: (3-точковий метод): 600-1000 МПа

Модуль пружності: 310Gpa

В'язкість до руйнування (метод IF): 6,5 МПа･√м

Теплопровідність: 25°C 15-85 Вт/(м･K)

Коефіцієнт діелектричних втрат: 0,4

Питомий об'ємний опір: 25°C >1014 Ω･㎝

Міцність на розрив: DC >15㎸/㎜